公司详情
【公司简介】 华虹半导体有限公司(A股简称:华虹公司,688347;港股简称:华虹半导体,01347)(“本公司”)是全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业,秉持“8英寸+12英寸”、先进“特色IC+PowerDiscrete”的发展战略,为客户提供多元化的晶圆代工及配套服务。本公司专注于嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理和逻辑与射频等特色工艺技术的持续创新,有力支持新能源汽车、绿色能源、联网等新兴领域应用,其卓越的质量管理体系亦满足汽车电子芯片生产的严奇要求。本公司是华虹集团的一员,而华虹集团是中国拥有“8英寸+12英寸”先进集成电路制造主流工艺技术的产业集团本公司在上海金桥和张江建有三座8英寸晶圆厂,另在无锡高新技术产业开发区内建有两座全球领先的12英寸特色工艺晶圆厂,其中之一是全球第一条12英寸功率器件代工生产线。
【所属板块】半导体,百元股,MSCI中国,沪股通,融资融券,机构重仓,AH股,存储芯片,半导体概念,央国企改革
【主营业务】华虹半导体是全球领先的特色工艺晶圆代工企业,也是行业内特色工艺平台覆盖最全面的晶圆代工企业。公司立足于先进“特色IC+功率器件”的战略目标,以拓展特色工艺技术为基础,提供包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频等多元化特色工艺平台的晶圆代工及配套服务。
【主营产品】主营产品：报告期：2025-06-30,其他收入3.83亿 ，占比4.78% ，利润1.15亿 ，占比8.16% ，毛利率30%；租赁收入收入0.5亿 ，占比0.62% ，利润0.4亿 ，占比2.86% ，毛利率80.39%；集成电路晶圆代工收入75.84亿 ，占比94.6% ，利润12.54亿 ，占比88.98% ，毛利率16.53%
【经营范围】
【公司沿革】 1997年华虹NEC成立。
1999年华虹NEC成功试产DRAM生产线。
2000年Grace Cayman成立上海宏力。
2003年华虹NEC开始其代工服务。
上海宏力开始生产0.20μm计算机芯片。
上海宏力开始生产0.25/0.18μm独立NOR型闪存芯片。
2004年上海宏力开始用0.25μm嵌入式闪存工艺技术生产汽车发动机控制器芯片。
2005年华虹半导体在香港注册成立为华虹NEC的控股公司。
华虹NEC开始用嵌入式EEPROM工艺技术生产中国居民身份证芯片。
2006年华虹NEC获得Cypress的0.13μm SONOS技术许可,用於生产嵌入式闪存芯片。
上海宏力获得Silicon Storage Technology, Inc.(SST)的SuperFlash技术许可,用於生产嵌入式闪存芯片。
2007年华虹NEC开始用0.35μm BCD工艺技术生产芯片。
上海宏力开始用0.18μm工艺技术生产嵌入式闪存芯片。
2008年华虹NEC开始用0.13μm SONOS技术生产嵌入式闪存芯片。
2009年上海宏力开始生产0.13μm 逻辑与微控制器和0.12μm NOR型闪存芯片。
2010年华虹NEC开始用0.18μm BCD工艺技术生产芯片。
上海宏力开始基於Superflash技术生产0.13μm嵌入式闪存芯片。
2011年华虹NEC的功率MOSFET累计出货量超过二百万片晶圆。
上海宏力及华虹NEC以SuperFlash为基础的集成电路的累计出货量超过一百万片晶圆。
华虹NEC开始用600V SJNFET及1200V NPT IGBT工艺技术生产芯片。
华虹半导体与Grace Cayman之间的合并已完成。
2012年上海宏力与华虹NEC用0.13μm工艺技术生产的SIM卡芯片年出货量达到约18亿颗。
2013年根据合并进行的集团内公司间重组已基本完成。
华虹宏力交付移动应用磁力传感器样品。
2014年华虹半导体2014年10月15日在香港联合交易所主板上市。
公司SIM卡芯片出货量达26.6亿张,占全球50%市场份额。
2015年公司三座Fab总产能提升至每月14.6万片,专注於功率器件的Fab 2 单月产出创5万片历史新高。
公司开始用0.11μm ULL 嵌入式闪存工艺生产芯片。
公司开始用0.2μm射频SOI 工艺生产芯片。
2016年公司90nm嵌入式闪存工艺平台成功量产。
采用公司eNVM技术制造的金融IC卡芯片产品分获国际CC EAL5+和EMVCo安全证书,以及万事达CQM认证。
2017年公司DT-SJ工艺平台累计出货量超过25万片晶圆。
公司功率器件平台累计出货量超过500万片晶圆。
基於95nm OTP工艺平台的首颗MCU开发成功。
2018
华虹无锡一期项目12英寸生产线启动建设。
华虹宏力年出货量首次突破200万片晶圆。
2019
华虹无锡一期项目12英寸生产线建成投片。
华虹无锡项目荣获LEED v4认证金奖。
华虹无锡90nm嵌入式闪存首批产品交付。
2020
华虹无锡首批功率器件产品交付。
华虹宏力推出90nm超低漏电嵌入式闪存工艺平台。
高性能90nm BCD工艺平台在华虹无锡量産。
2021
12英寸55nm嵌入式闪存工艺平台量产。
车规级IGBT和12英寸IGBT量产。
2022
12英寸平台累计出货100万片。
2023
华虹制造新12英寸产线启动建设。华虹半导体首次公开发行A股并在科创板上市。